陷入“芯铜”危机:供应短缺与需求增长的双重挑战

07-22 07:12
新矿开发难以跟上AI爆发式增长带来的需求,铜缺口问题愈发严峻。

到2035年,约32%的全球半导体生产可能因气候变化引发的铜供应中断受到影响,这一比例是当前的四倍。


全球最大的铜生产国智利正面临水资源短缺问题,导致铜产量增长放缓。到2035年,为芯片产业供应铜的17个国家中,多数将面临干旱风险。


芯片厂因铜回收率低而发愁,难过“铜”关。


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铜,难以替代


在半导体领域,铜主要用于制造互连线路。传统互连制造中,通过化学气相淀积(CVD)或物理气相沉积(PVD)技术将铜沉积在金属膜上,它能自发形成平坦表面,具有高电导率和良好的应变特性。


与传统铝导线相比,铜线导电性更高、电阻低、丝状息少且失配效应可接受。在超大规模集成电路(VLSI)和超高质量(UHQ)应用中,优势显著。此外,铜还用于处理器和高密度存储制造,如制造半导体材料的氧化物。


铜也用于制造半导体封装材料,作为封装材料一部分可优化性能、减少能量损失。同时,广泛应用于半导体器件中的金属化电容器,其电容和损耗特性极佳,是下一代存储器、计算机和通信技术的重要组件。



智利作为最大铜生产国,正应对缺水问题。普华永道报告指出,到2035年,为芯片行业供铜的17个国家多数将面临干旱风险,若材料创新和水源供应问题得不到解决,风险会加剧。预计铜供应中断风险将波及全球主要芯片制造地区。半导体是铜重要应用领域,虽业界在研究替代材料,但目前尚无材料在价格和性能上能与铜匹敌。


02


大厂看重“铜”



2024年,英伟达宣布将人工智能数据中心短距离数据传输从光纤转向铜缆,这预示着未来铜需求大幅增长,也将提振相关“铜股”。英伟达GTC大会不仅带动了AI芯片市场,芯片上的铜缆产品也备受关注。据黄仁勋介绍,GB200采用72个Blackwell GPU全互连的NVLink技术,拥有超2英里的NVLink铜缆,展现了铜缆在高性能计算领域的潜力。


英伟达此举是为降低数据中心设备耗电量,大规模用铜超出业内预期。该公司表示,用铜替代光学器件,每个服务器机架可节省20千瓦电力。


英伟达从光学转向铜是热门话题。使用更多铜的关键因素是液体冷却,它能让单个机架容纳更多GPU(图形处理单元)。


GB200 NVL72铜互连技术带来新的用铜需求。GB200产品系列多样,NVL72是重点产品,采用先进铜缆连接方案。GB200计算托盘基于新的NVIDIA MGX设计,含2个Grace CPU和4个Blackwell GPU,有用于液体冷却的冷板和连接,支持高速网络的PCIe gen 6,以及用于NVLink电缆盒的NVLink连接器。GB200 NVL72在一个机架中配置72个GPU和18个双GB200计算节点或在两个机架中配置72个GPU和18个单GB200计算节点,用铜缆盒密集封装和互连GPU。铜连接技术散热高效、成本效益高、能耗低,单台服务器采用铜互连方案价值更突出。单台GB200 NVL72架构用5000根NVLink铜缆连接交换机和GPU,单台服务器铜缆总长近2英里。2024 - 2025年,GB200 NVL72出货量预计分别达3000台和50000台,铜互连解决方案市场空间将逐年扩大。


GB200 NVL72大幅提升新一代人工智能加速运算能力。英伟达数据显示,GB200 NVL72相对H100能效提升25倍,相对CPU数据处理能力提升18倍,相对H100 Tensor Core GPU大型语言模型推论能力提升30倍,相对H100大型语言模型训练能力提升4倍。


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铜在芯片中的作用


国际能源署(IEA)预测,到2026年,全球数据中心电力需求将以15%的复合年增长率增长。摩根大通估计,到2030年,这将累计新增约260万吨铜需求,占2030年全球铜预期需求的2%左右。未来十年,人工智能计算能力增长将推动全球电力容量大幅提升。


预计到2030年铜供应缺口将达400万吨。报告指出,纯电动汽车和可再生能源发展,加上新铜矿供应有限,是预测铜短缺的原因。


铜互连


铜互连工艺是集成电路制造中连接不同层电路的金属互连技术,通过“大马士革”(Damascene)工艺实现铜的嵌入式填充。原理是在绝缘层蚀刻沟槽或通孔,沉积铜后用化学机械抛光(CMP)去除多余铜,形成嵌入式金属线。


与铝互连相比,铜互连电阻率低、抗电迁移性能好,是现代集成电路制造主流互连材料。但铜刻蚀难,传统刻蚀技术不满足纳米级工艺要求,因此发展了双嵌入式(Dual Damascene)工艺,一次光刻和蚀刻同时形成沟槽和通孔,提高工艺效率和良率。


铜在芯片中的核心作用:


1. 全局互连的“电流大动脉”


高层厚铜线(M8 - M10层):厚度1 - 3 μm,传输时钟/电源信号(电流>10 mA);1100℃退火后晶粒>1 μm。


2. 局部互连的“纳米导线”


低层铜线(M1 - M3层):线宽10 - 20 nm,连接相邻晶体管;钴包裹铜技术抑制电迁移。


3. 三维堆叠的“垂直电梯”


硅通孔(TSV):直径5 μm深100 μm的铜柱连接上下芯片;热膨胀匹配设计,避免应力开裂。


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铜的危机传导链


全球精炼铜消费量增长,新能源产业引领全球铜消费。2024年,全球精炼铜消费量2733.2万吨,同比增长2.92%。我国精炼铜实际需求增长约3.5%,全球除中国外使用量增长约2.2%,欧盟、日本和美国需求疲软被亚洲和中东及北非国家增长弥补。


从终端应用看,新能源产业(风电、光伏发电、储能系统及新能源汽车)引领全球铜消费增长,占全球总需求的15%,是铜市发展核心驱动力。


新能源汽车制造离不开铜。从混合电动汽车(HEV)到插电式混合电动汽车(PHEV)再到纯电动汽车(BEV),铜用量不断增加。行业估算,HEV铜用量约40 - 60公斤,PHEV约60公斤,BEV高达80 - 83公斤,纯电动大巴铜用量224 - 369公斤。


以比亚迪“海鸥”为例,每辆车按80公斤铜用量算,35370辆车需铜2829.6吨,凸显新能源汽车对铜市场影响巨大。


另外,人工智能计算崛起拉动铜需求提升。


生成式AI、大算力推动计算领域发展。在ChatGPT等生成式AI技术和元宇宙等业态推动下,全球人工智能应用拓展。中国电信预测,2022 - 2027年全球AI市场规模将以58%的复合增长率增长至约4000亿美元。大模型训练与推理等需求对算力要求更高,IDC数据显示,到2027年我国算力市场规模预计达1234.7 EFLOPS,智能算力占比超90%。不过,低功耗技术趋势可能挑战铜需求增长。在“双碳”目标下,降低AI算力芯片能耗是集成电路行业发展方向。2022年,以太坊算法革新将挖矿机制转为权益证明(PoS),降低99%电力消耗。值得注意的是,铜在数据中心配电系统中用量占比75%,若AI能效技术持续突破,铜在算力基础设施中的需求增长可能受影响。


本文来自微信公众号“半导体产业纵横”,作者:米乐,36氪经授权发布。


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