武汉国产存储龙头启动A股辅导，长江存储IPO正式提上日程

作为国内3D NAND闪存领域的头部企业，长江存储这一国产存储领域的核心力量，即将踏入资本市场。

国产存储赛道如今正迎来前所未有的资本化高潮。今年5月19日，证监会官网公开信息显示，长江存储控股股份有限公司已经和中信证券、中信建投签订辅导协议，正式开启A股上市辅导工作。这也意味着，这家肩负着中国存储芯片国产替代希望的国之重器，距离登陆A股只剩最后一步。

作为中国3D NAND闪存赛道的领军企业，长江存储只用了不到十年时间，就走完了国际存储巨头几十年的发展路程。在胡润研究院发布的《2025全球独角兽榜》中，长江存储以1600亿元人民币的估值成功上榜。不过比估值数字更值得关注的，是AI算力爆发给存储芯片市场带来的价值重构，这正是长江存储此次启动IPO背后的核心逻辑。

半导体资深团队带队，突破存储芯片卡脖子困境

把时间拉回2016年，当时中国半导体产业正陷入严重的存储困局——无论是DRAM还是NAND芯片几乎都完全依靠进口，存储芯片成为国内半导体产业链卡脖子问题最突出的领域。

正是在这样的背景下，清华紫光联合国家集成电路产业投资基金、湖北省产业投资集团，共同在武汉组建成立了长江存储。但想要在存储芯片这个高技术壁垒行业实现国产突围，只靠资金投入远远不够，更需要一支经验丰富、能沉下心攻坚的技术管理核心团队。

长江存储从成立之初就汇聚了一群半导体行业老兵。现任董事长陈南翔是国内半导体领域公认的资深专家，他本科毕业于电子科技大学半导体器件专业，还拥有北京师范大学低能核物理研究所离子束物理及大规模集成电路应用专业博士学位，曾先后在紫光集团、华润微电子任职，完整经历了中国半导体产业从低谷到突围的全部过程。

和陈南翔搭档的是另一位行业资深人士杨士宁，作为长江存储的核心技术负责人，杨士宁在美国伦斯勒理工学院取得了物理学硕士以及材料工程学博士学位，还曾在英特尔工作超过十年，拥有丰富的国际大厂研发经验。他从2016年7月开始担任长江存储CEO，2022年升任常务副董事长。

长江存储在3D NAND闪存领域的多项关键技术突破，都是在他的主导下完成的，还研发出了极具自主特色的Xtacking（晶栈）技术。

这支由行业老兵掌舵、同时兼具技术积累和产业经验的核心团队，为长江存储的快速发展筑牢了根基，让这家成立不到十年的年轻企业，短短几年就实现了从技术追赶到部分领域领跑的跨越，为国产存储芯片突围打下了坚实基础。

从辅导披露的股权结构来看，长江存储目前没有控股股东，第一大股东为湖北长晟发展有限责任公司，持股比例为26.5442%，其他股东还包括国家集成电路产业投资基金、湖北及武汉地方国资平台、金融机构以及各类市场投资机构。

从零起步突破技术，打破海外垄断的国产存储芯

成立之初，长江存储就把全部精力聚焦在3D NAND闪存的自主研发上，希望依靠技术创新打破海外巨头的长期垄断，填补国内高端存储芯片的市场空白。

2017年10月，长江存储通过自主研发加国际合作的模式，成功设计制造出中国第一颗自主3D NAND闪存。

想要弄清楚3D NAND闪存的技术价值，首先要明白它和传统2D闪存的核心差异：传统2D闪存就像“平房”，只能在平面上扩大面积，而3D NAND就像“高楼”，通过向垂直方向堆叠存储单元，能在同样的芯片面积内容纳更多存储单元，解决了传统平面闪存无法继续缩小尺寸的瓶颈，是现在固态硬盘和手机存储最核心的主流材料。

在实现初步突破之后，长江存储开始向更深层的架构创新发起冲击。2018年8月，在全球顶级闪存行业峰会Flash Memory Summit上，长江存储正式发布了革命性的晶栈Xtacking架构。在该架构推出之前，全球市场的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构两类。

经过长江存储团队长达9年在3D IC领域的技术积累，加上4年的研发验证，最终将晶圆键合这项关键技术成功应用在3D NAND闪存上，能在指甲盖大小的芯片面积上实现数十亿根金属通道的连接，将两块晶圆合为一体，还能达到和单片晶圆加工同等的优质可靠性。随着堆叠层数不断提升，基于晶栈Xtacking架构研发生产的3D NAND闪存，会拥有越来越明显的成本和创新优势。

技术突破很快就转化成了量产成果。2019年9月，搭载长江存储自主晶栈Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式实现量产；2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070作为首款第三代QLC闪存，在发布时就拥有全球业界最高的存储密度和最大的单颗芯片容量。

随着技术不断成熟，产能逐步释放，长江存储产品的品质和市场认可度持续提升，不仅在国内市场站稳脚跟，还成功打入全球高端存储市场。截至目前，长江存储已经为全球各地的合作客户提供3D NAND闪存晶圆、颗粒、嵌入式存储芯片，以及消费级、企业级固态硬盘等多款产品和解决方案，广泛应用在移动通信、消费电子、计算机、服务器以及数据中心等多个领域。

据产业链核心知情人士透露，2026年第一季度长江存储营收已经突破200亿元，同比实现翻倍增长，NAND闪存芯片的全球市场占比已经超过10%。

产能方面，根据韩国媒体Chosun Biz的报道，目前长江存储一期产线月产能已经达到10万片晶圆，二期产线月产能约6万片，位于武汉的三期项目也就是第三座晶圆厂，预计会在2026年下半年开始量产高堆叠层数的NAND Flash。按照当前产能规划，今年长江存储的NAND Flash总产量预计将会超过SK海力士和美光，升至全球第三位，仅次于三星和铠侠。

千亿估值背后，AI爆发重构存储行业价值

技术突破叠加产能扩张，共同推高了长江存储的资本估值。

在胡润研究院《2025全球独角兽榜》中，长江存储以1600亿元人民币的估值首次上榜，位列中国十大独角兽第9位、全球第21位，同时也是半导体行业估值最高的新晋独角兽。

长期以来，存储芯片都属于强周期性行业，行业景气度高度绑定手机、PC等消费终端的销量。但近年来AI产业爆发式增长，大模型训练、云端数据存储、智能算力集群建设带来了海量的存储需求，数据中心对高端存储的需求呈现指数级增长。

可以说，AI算力的爆发正在彻底改写存储行业的传统周期逻辑，头部存储企业的价值迎来了系统性重估。

高盛公开分析称，全球存储芯片市场正面临过去15年来最严重的供应短缺，因此大幅上调了2026年存储芯片价格预测，将DRAM存储芯片价格涨幅预测从约150%上调至250%—280%，NAND价格涨幅预测从约100%上调至200%—250%。

行业的高景气也直接传导到了人才市场，SK海力士宣布将年度营业利润的10%作为全员绩效奖金，预计2026年人均奖金约326万元，2027年甚至可能突破600万元。这样的行业红利，既体现了存储产业的战略地位提升，也侧面反映出长江存储所处赛道的巨大发展潜力。

对长江存储来说，登陆资本市场不是发展的终点，而是全新征程的起点。未来公司可以借助上市募集的资金，进一步加快技术迭代速度、扩大产能规模、巩固全球市场份额，逐步缩小和国际顶尖存储巨头的差距。从打破技术垄断到引领产业发展，长江存储的IPO不仅是企业自身发展的里程碑，更是中国半导体产业向高端化、国际化迈进的重要标志。

本文来自微信公众号“猎云精选”，作者：韩文静，36氪经授权发布。

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