台积电调整日本工厂规划 助力日本芯片工艺向4nm迈进

快科技12月11日消息，40年前，日本曾是全球半导体领域的领军者。但近年来，日本的角色逐渐转变为设备与材料供应商，在先进芯片工艺领域已沉寂多年，此前其本土生产的芯片工艺还停留在28nm及以上水平。

不过，如今日本芯片工艺有望实现从28nm到4nm的跨越。这一变化源于台积电在日本投资的熊本二厂，该厂原计划升级至6/7nm工艺，近期却已停工。

此次停工并非台积电暂停对日本的投资，而是为了升级工艺。由于当前6/7nm工艺需求较低，新建此类工厂可能加剧产能过剩，因此有消息人士透露，台积电计划将二期工厂直接升级至4nm工艺，以满足当下AI芯片的庞大需求。

针对这一消息，台积电今日回应称，公司不评论市场传闻或臆测，在日本的项目仍在持续推进中。

尽管台积电表示在日本的投资会继续，但实际上，不仅二期工厂暂停建设，此前已建成的一期工厂也暂停了扩产计划。一期工厂主要生产40/28nm以及16/12nm工艺的芯片产品，原计划2026年新增设备，不过现在台积电已告知设备供应商，明年全年都没有增加设备的安排。

然而，二期工厂若要升级至4nm工艺并非易事。4nm工艺需要EUV光刻设备，这不仅会增加投资成本，相关厂商的设计等环节也需做出调整。

因此，二期工厂还有另一种可能性——改建成先进封装工厂。当前AI芯片对CoWoS封装的需求极高，而此前CoWoS芯片封装主要集中在台积电本土工厂，若在日本扩产CoWoS封装产能，也有助于缓解AI芯片产能不足的问题。

目前，最终方案尚未确定，但无论台积电选择哪种方案，都将推动日本在先进芯片工艺及封装领域向前迈出重要一步。

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