SiC加速上车，迎接逆变器“高光时刻”！揭秘四大国际巨头的新产品

09-06 11:12

电子爱好者网报道(文章 / 最近，国际研究机构章鹰) Yole Group 发表报告显示，SiC 电动汽车市场是最大的应用市场。Yole 分析师说，SiC 2023年电动汽车主驱逆变器已逐步发挥主要作用年 SiC 已达到全球市场 27 一亿美元，其中汽车占据了一亿美元 70% 到 80% 未来随着电气架构的发展，市场 800V 前进，耐高压 SiC 预计功率部件将成为主驱逆变器的标准。

上半年，全球汽车短期遭受动荡，但安森美全球资深副总裁 Felicity Carson 表示，2024 年 SiC 商业目标是市场 2 倍速增长，特别看好中国 SiC 市场前景。安森美美等半导体国际大厂。（Onsemi）、英飞凌（Infineon）、罗姆半导体（Rohm）、博世（Bosch）等待如何看待车规逆变器的市场前景和需求变化？这几大功率厂商带来了哪些旗舰功率器件商品？这篇文章将为大家分析和揭秘。

SiC 将来 5 年 CAGR 达车规逆变器19.6%的市场前景看好

就物理学特征而言，SiC 禁带宽度较宽，大约是 Si 的 3 倍左右，穿透场更强，大概是， Si 的 10 倍数，这样做 SiC 抗压性能更好，这就是 SiC 这就是为什么材料可以制造高压产品。基于这些材料特性的优点，SiC 可以主要应用于大功率、高电压、高频率领域，相应地使用电动汽车、工业设备、可再生资源系统等主要跑道。

"市场研究公司 Yole Group 发布的数据显示，有望到达。 2029 年，SiC 电力设备的市场规模将达到 100 亿美金。新型能源汽车是 SiC 电动设备下游最大的应用市场，电瓶车的主要组成部分包括 OBC、DC-DC、驱动装置(牵引逆变器、电动机等)。其中牵引式逆变器也用于牵引式逆变器 SiC 2021年模块用量最大， 200A年后发售的纯电动汽车牵引逆变器，300A 上述大电流和 400V 上述高抗压区域需求全部 SiC 模块。罗姆看到了市场需求点，并推出了相应的商品来处理客户的痛点。" 罗姆半导体 ( 上海 ) 深圳分公司技术中心高级经理苏勇锦告诉电子发烧友记者。

英飞凌科技副总裁、英飞凌工业与基础设施业务大中华区营销负责人沈璐看好 SiC 她坦言：“增长前景，” 2023 年至 2025 年，SiC 从全球市场规模来看，功率器件 23 亿美元增加到 105 1亿美元，复合增长率达到 19.6%。5 年以后，80% 以上的 SiC 将用于电动汽车相关的主驱逆变器和车载充电器。"

四家制造商展出 " SiC 800V "电动汽车逆变器模块模块

从 2022 年起，标配 800V 新能源汽车高压充电逐渐成为市场主流，今年， 800V 车型频频出现在各大车展，从北京车展问界出发。 M5、华为享界 S9、保时捷 Macan EV、红旗 EHS7 等待多种型号，到达 8 月底的成都车展，极氪 7X 正式发布，全系标配 800V 髙压平台，这意味着超快充时代的到来。

为满足电动汽车主驱逆变器的大功率要求， PCIM Asia 展览会上，安森美展出了大功率 SiC B2S 该模块采用塑封半桥工艺，具有低杂散感和高可靠性的特点。该模块还集成了最新的模块。 M3 SiC 技术，最高耐温性 175 通过先进的银锻烧，实现了低热阻和高性能。现场工作人员说，SiC 逆变器的主要用途是 800V 支持超快充的高压平台旗舰车型。SiC 该模块的整体成本高于 IGBT 模块成本，SiC 300KW Demo 板和 IGBT 300KW Demo 板材对比，重量明显下降，占板面积也变小，符合轻量化、微型化的趋势。

另外，安森美企业为满足不同客户的需求，提供多种定制连接选项，包括银锻烧。安森美的产品支持灵活的功率配置，最高可达满足逆变器制造商多样化应用需求的400kW。安森美 SiC 芯片在车辆上的行驶里程从 2022 年 1 月到 2024 年 7 月超出 90 1亿公里，蔚来、现代等多家汽车公司与安森美合作。

英飞凌在本次展览中展示了其汽车半导体领域。 HybridPACK ™ Drive G2 Fusion 模块和 Chip Embedding 电力设备，其中 Chip Embedding 可直接集成在一起 PCB 板材中，实现极小杂散与完美高集成的结合。现场工作人员说，Chip Embedding 可以用在 800V 与其他制造商相比，电压平台具有模块优势。该产品直接集成到 PCB 板材中，更加微型化，集成度高，功率密度高，这是英飞凌独家推出的创新产品。

图：HybridPACK ™ Drive G2 Fusion

HybridPACK ™ Drive G2 Fusion 模块融合了 IGBT 和 SiC 最大限度地发挥牵引逆变器的芯片 SiC 潜力。正是英飞凌在中国区展出的融合。 IGBT 和 SiC 芯片模块，这是一个紧凑的电源模块，专门为混合动力和电动汽车牵引而设计。第二代 HybridPACK Drive G2 推出了 EDT3 ( Si IGBT ) 和 CoolSiC G2 MOSFET 技术，支持 400V 全车系统应用，评估套件可支持 200Kw 主驱动电动机逆变器的应用，这个混合模块 Si 和 SiC 智能化组合实现了成本和效率的最佳平衡。

在 PCIM Asia 在展会上，罗姆首次展出了今年最新发布的新型二合一二变器，适用于车载引变器。 SiC 功率模块（TRCDRIVE pack ™）。

基于罗姆展位的重点展示 TRCDRIVE pack ™三相全桥评定套件碳化硅塑封模块。

罗姆苏勇锦指出，TRCDRIVE pack ™它是一种用于电动汽车主机逆变器电控领域的模块化商品。该产品的主要特点是微型化、大功率，具有四大优点：一是该系列内置第四代 SiC MOSFET，采用管沟技术，实现行业超低单位面积导电阻；第二，产品优化了基板的布局，可以实现低寄生电感，开关损耗比传统模块降低一个等级；第三，模块已经使用 press fit pin 结合塑料封装工艺，微型化水平达到较低水平，完成了一般 SiC 塑封模块 1.5 行业极高密度翻倍；四、这款二合一。 SiC 模块化产品阵容，分为两个抗压等级：750V 和 1200V，分别对应。 400V 电压平台和 800V 电压平台。满足大功率导出的应用领域，帮助 xEV 逆变器微型化发展趋势。

据悉，TRCDRIVE pack ™新产品将在 2024 年 6 月产开始暂时开始 10 投入量产的万只规模。

在 PCIM Asia 展会上，博世半导体博世智能旅行集团中国区董事会高级执行副总裁、博世汽车电子事业部中国区总裁 Norman Roth 对于电子爱好者记者说：“新能源汽车 400V 低压平台主要还是采用低压平台？ IGBT 主要设备，成本更合适。今年，越来越多的新能源汽车旗舰车选择 800V 髙压平台，SiC 与传统相比，设备带来了更好的加速性能和更小的开关损耗。 IGBT，可以有效地延长到相同的电池容量 6% 续航里程。"

博世半导体这次带来了第二代碳化硅分立器件。与第一代产品相比，第二代碳化硅芯片可以实现更高的功率密度和质量，提高二极管的开关速度，这意味着在转换速度不变的前提下，它降低了。 50% 的 dv/dt，实现单位面积 Rdson 30% 的缩减。得益于博世专利的管沟技术，该技术领先于平面工艺碳化硅的技术性能，有利于芯片性能、输出和成本控制。

博世这次展出了其明星碳化硅产品的种类，其中包括第二代碳化硅。 MOSFET 裸片，先进模块，电驱动系统等。博世电力碳化硅 MOSFET 1200V 裸片组合，提供6种商品，1200V 碳化硅功率模块提供四种产品推广，能满足要求 800V 高压平台的选型要求。

博世表示，他们可以根据汽车制造商、一级供应商和经销商对芯片布局、电气性能和工艺的需求灵活定制。 SiC 芯片。

总结

未来五年，汽车规定逆变器市场将迎来快速增长期，Trendforce 报告显示，2023 年全球 SiC(碳化硅)功率元件市场保持强劲增长，前五名 SiC 功率组件供应商约占整个行业的收入 91.9%。其中意法半导体（ST）以 32.6% 市场份额排名第一，安森美（onsemi）市场份额排在第二位。 23.6%。其次是英飞凌。（Infineon，16.5%）、Wolfspeed（11.1%）、罗姆半导体（ROHM，8%）。

四大国际大厂发布新款式 SiC 设备商品，表明其在该市场的技术优势和供应链优势。中国 SiC 厂商也在加速前进。在碳化硅器件方面，芯联集成、士兰微、积塔半导体、三安半导体、基本半导体、泰科天润、文泰科技、扬杰科技都在积极布局和推出商品。未来三年，国内碳化硅器件的市场份额有望迅速增加。

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