韩国企业在DRAM上进行堆叠竞争，成日企业商机

下一代存储器SK海力士”HBM”领域领先三星

高带宽内存（HBM）这是一种先进的存储器，将多个DRAM芯片堆叠在一起。

随着AI的普及，需求急剧扩大。SK海力士是世界领先的，三星电子正在追逐。对于支持精细堆叠技术的日本设备和材料企业来说，这也是一个巨大的商机...

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高带宽内存先进存储器（HBM）“R&D竞争正在升温。三星电子正在追求SK海力士，他们在堆叠半导体芯片、提高数据处理能力方面处于领先地位。HBM的普及也是支持精细堆叠技术的日本设备和材料企业的巨大商机。

HBM是一种新型的结构半导体存储器，将多个DRAM芯片堆叠在一起，提高数据处理能力。人工智能需要高速处理大量数据（AI）普及，需求急剧扩大。

由于将半导体电路总宽度降至极限的“微细化”正在迎来物理极限，HBM正在将芯片堆叠起来，以三维结构增加处理能力。就像NAND闪存领域的堆叠技术竞争一样，用于保存数据，堆叠层数也在DRAM领域竞争。

在存储器领域排名世界第二的SK海力士处于领先地位。SK海力士与AI领域领先的美国英伟达合作，共同开发并继续提供HBM。

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2023年10年，SK海力士～12月份，由于高利润率HBM的销售额增加，存储器行业率先扭亏增盈。SK海力士首席财务官（CFO）“HBM将保持年均60%的市场增长，”金佑贤自信地说。其它企业在R&D和大规模生产两个方面都很难轻易赶上。

SK海力士准备大规模生产先进产品，将DRAM芯片堆放到8层。作为下一代产品，已经开始提供堆放12层的样品。三星和美光科技也在加紧12层产品的开发。

但技术难度很大，需要不同于现有DRAM量产的加工工艺。

SK海力士跃进背后有日本供应商的支持，包括立体结构的布线技术、具有排热特性的封装材料、精密削薄硅晶圆技术等。日本生产设备制造商迪思科和爱德万检测（Advantest）、在股价暴涨的背后，TOWA等也有HBM普及这一强势东风。

日本企业在以纳米为单位进行材料微加工的技术领域发挥着巨大的作用。三星在横滨市设立半导体研究基地，以加深与日本供应商的关系，扭转局面。

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随着新一代产品的出现，DRAM的市场有所改善，但NAND的反弹力较弱。除了智能手机和个人电脑销量低迷外，将照片和视频存储在云中成为主流，抑制了终端数据容量的增加趋势，这也产生了负面影响。

针对三星2024财年(截至2024年12月)的营业利润预测，韩国有进投资证券表示，DRAM将赚取13万亿韩元，NAND的收益仅为900亿韩元，不到100分之一。即使是同样属于半导体存储器，由于AI普及的DRAM和NAND之间的收益差距也会持续一段时间。

本文来自微信公众号“日经中文网”（ID：rijingzhongwenwang），作者：日经中文网，36氪经授权发布。

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