损耗降低近50%，安森美推出垂直氮化镓功率半导体样品

IT之家11月2日消息，onsemi安森美当地时间10月30日宣布推出并提供垂直氮化镓 (vGaN) 功率半导体样品。该产品采用专有GaN - on - GaN同质衬底技术，电流垂直流过化合物半导体，能够实现更高的工作电压、更快的开关频率，还能让功率器件的设计更加紧凑。

安森美表示，vGaN功率半导体可降低能量损耗和热量，损耗减少近50%，有助于推动AI数据中心、电动汽车、可再生能源、航空航天等领域的未来发展。

安森美的vGaN垂直氮化镓技术采用单芯片设计，可应对1200V及以上高压；与目前市售的横向GaN器件相比，垂直氮化镓器件的体积约为其三分之一；工作频率的提升意味着电容器和电感等被动元件尺寸可缩减约一半。

IT之家了解到，安森美目前已向早期客户提供700V和1200V器件样品。

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