GaN代工格局或生变：台积电退场，纳微转单力积电开启新局

电子发烧友网综合报道，近期，纳微半导体宣布与力积电展开合作，共同推动业内领先的8英寸硅基氮化镓技术生产。

纳微半导体在公告中提到，力积电具备先进的180nm CMOS工艺能力，采用更小、更先进的工艺节点，可在性能、能效、集成度以及成本方面实现全面优化。

纳微半导体将借助力积电生产其100V至650V的氮化镓产品组合，以满足超大规模AI数据中心和电动汽车等48V基础设施对氮化镓技术不断增长的需求。根据公告，首批由力积电制造的器件预计在今年第四季度完成认证。其中，100V系列计划于2026年上半年在力积电投产，650V的器件则将在未来12到24个月内从现有的供应商台积电逐步转至力积电代工生产。

这一策略调整，能更好地满足市场对高效能氮化镓产品的需求，推动相关行业的技术进步与发展。

纳微宽禁带技术平台高级副总裁Sid Sundaresan博士表示：“在180nm工艺节点上进行8英寸硅基氮化镓的生产，使我们能够持续创新，实现更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同时提升成本控制、规模化能力和制造良率。”

值得注意的是，此前纳微半导体的氮化镓业务由台积电生产。而近期传出台积电将退出氮化镓市场，竹科的晶圆厂相关产线将停止生产。7月3日，台积电发表声明称，经过对长期业务的全面评估，公司决定在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）业务。“我们正与客户密切合作，确保顺利过渡，并在此期间继续致力于满足他们的需求。”

此前，台积电曾积极布局氮化镓业务。2024年初的年报显示，公司第二代650V/100V E - HEMT技术已完成可靠性验证，计划于2025年投产；同时，台积电也在积极推进8英寸氮化镓 - on - 硅（GaN - on - Si）技术的开发，预计该技术将于2026年开始投产。

但从最新布局来看，台积电正在进行战略重心转移，剥离相对低利润的GaN代工业务，转向高性能计算或AI芯片等需求更高的领域。摩根士丹利全球半导体团队分析指出，台积电2025年底的CoWoS总产能约为70k，到2026年将达到约90 - 95k，增长33%。英伟达Blackwell架构GPU芯片需求强劲，揽下台积电七成CoWoS - L先进封装产能，此外，英伟达的Rubin在AI需求带动下保持增量。AI领域的需求增长带动台积电先进封装业务的营收增长。台积电预计，2025年先进封装营收占比将超过10%，而2024年的营收占比仅约为8%。

尽管今年氮化镓市场有一些变动，如专注于碳化硅和氮化镓等第三代半导体的Wolfspeed宣布进行破产重组，台积电决定退出氮化镓业务，但氮化镓仍被视为未来重要的新兴技术之一。

作为氮化镓芯片领域的领导者，纳微半导体已推出双向GaNFast功率芯片、电机驱动专用型GaNSense氮化镓功率芯片等产品。其中双向GaNFast功率芯片通过合并漏极结构、双栅极控制及集成专利的有源基板钳位技术，实现双向开关的突破。其技术在AI数据中心、太阳能市场、电动汽车等多个领域取得进展。

在AI数据中心领域，纳微的氮化镓与碳化硅技术助力NVIDIA的800V高压直流（HVDC）架构，应用于功率超过1兆瓦的IT机架。在太阳能市场，650V双向GaNFast氮化镓功率芯片将用于太阳能能源解决方案提供商Enphase的下一代IQ9产品中。在电动汽车领域，其大功率GaNSafe技术也用于商用车载充电机（OBC）应用领域。

那么台积电离场后，谁能接手呢？业内人士认为，台积电的硅基氮化镓（GaN - on - Si）技术与力积电的工艺兼容性较高，这使包括纳微在内的客户转单成本较低。此次变动是否会引发代工行业格局的调整，仍需持续观察。

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