120×180mm怪物封装！EMIB-让AI芯片起飞

电子发烧友网综合报道。 最近，英特尔在电子元件技术大会上透露 EMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）技术。那是英特尔原来的样子 EMIB 在技术基础上引入硅通孔（TSV）重大升级，旨在解决高性能计算，AI 加速器和数据中心芯片异构集成挑战。其核心是在降低功耗和延迟的同时，通过垂直连接提高封装密度和性能。

传统 EMIB 采用嵌入封装基板的硅桥，实现多个裸晶之间的高速互连。并且 EMIB-T 引入硅桥 TSV 埋孔结构，使信号能够垂直穿越桥接芯片本身，实现更高密度、更短路径的垂直连接 。简而言之，它将硅通孔技术融入到现有的内嵌式多芯片互连桥技术中，提高了芯片间连接的性能。

EMIB-T 支持 UCIe-A 数据传输速率达到协议 32 Gb/s 上述，与英伟达相比 H100 也要提高 20%。同时 TSV 提供低电阻竖直供电路径，解决悬臂式供电电压降问题，降低电源传输电阻。 30%，满足 HBM4 高功耗要求。

该技术还配备了分解式散热器技术，减少 25% 热界面材料（TIM）支持微通道液冷的间隙，应对 1000W TDP 芯片功耗。而且新型压合粘合工艺可以减少基板翘曲，可以提高大型封装的良率和可靠性。

同时，EMIB-T 可以实现较大的芯片封装尺寸， 120 x 180 mm，并且在单个大型芯片封装中支持超过 38 一个桥接器和超过 12 一个长方形大小的裸片，提高了芯片的集成度。

还支持 35 μ m 沉孔间隔，25 μ m 间隔也在开发中，远胜于第一代。 EMIB 的 55 μ m 和第二代 EMIB 的 45 μ m，并且适用于有机或玻璃基板，其中玻璃基板是英特尔未来芯片封装业务的关键战略方向，为ic设计提供了更多的选择和可能性。

这项技术有望实现 2025 年底大规模生产，客户包括 AWS、思科和美国政府项目，Cadence、西门子 EDA 等待协同设计流程的推出，加快产品落地。

伴随着 TSV 结构的引入促进了硅材料在垂直连接方面的性能要求。为了保证数据传输的稳定性和可靠性，降低信号消耗，硅材料需要具有更高的纯度和质量。同时，在生产中 TSV 在此过程中，硅的加工工艺精度等级更加严格，如蚀刻、添加等工序都需要更加先进的技术来满足。 EMIB-T 的需要。

因为 EMIB-T 玻璃基板将成为适应有机或玻璃基板的关键战略方向，这将促进玻璃基板材料的研发和生产，促进日本电气硝子、康宁等玻璃基板供应链的发展。在绝缘、平面等方面，玻璃基板具有独特的优点，有望取代一些传统的有机基板。这样可以促进材料制造商加强对玻璃基板材料的研究投入，开发出更适合的材料 EMIB-T 玻璃基板产品技术，提高其在半导体封装应用领域的比例。

此外，随着芯片集成度的提高和性能的提高，热量的增加对热管理材料提出了更高的要求。结合全新的分解式散热器技术，需要热界面材料（TIM）具有较好的散热性能和较低的热阻，能更有效地传递芯片产生的热量，减少 TIM 为了保证芯片在高温环境下稳定运行，藕合焊料中的间隙可以提高散热效率。

总结

EMIB-T 不只是英特尔对台积电的比较。 CoWoS 技术反击，更多的是通过三维垂直连接、超大封装尺寸和材料创新， AI 芯片、Chiplet 提供高性价比的生态解决方案。 2025 年度量产落地，EMIB-T 或者重构高性能计算芯片的竞争格局，成为异构集成的新标准。

阅读更多热门文章

加关注 星标我们

把我们设为星标，不要错过每一次更新！

喜欢就奖励一个“在看”！

本文仅代表作者观点，版权归原创者所有，如需转载请在文中注明来源及作者名字。

免责声明：本文系转载编辑文章，仅作分享之用。如分享内容、图片侵犯到您的版权或非授权发布，请及时与我们联系进行审核处理或删除，您可以发送材料至邮箱：service@tojoy.com