HBM4热潮下的冷思考：警惕DRAM产业的结构性产能挤压

本文来自微信公众号： TechSugar ，作者：王树一

2026年2月6日，供应链消息确认三星电子的HBM4已通过英伟达认证，计划在2月第三周（农历新年假期后）启动量产。为追赶竞品，三星采用了1c nm DRAM工艺搭配4nm逻辑基础裸片的激进技术方案。

这一技术进展虽稳固了AI算力的供应链支撑，但对存储产业的深层影响远超技术层面。随着平泽P4等核心产线向HBM4倾斜，全球DRAM产能正面临愈发严重的“结构性抽血”。剥离AI增长的光环，通用存储市场的现状显示：HBM产能扩张本质是与通用DRAM（DDR4/DDR5）的零和博弈。

物理层面的挤出效应：不是增量，而是减量

不少人误以为HBM扩产是存储巨头在现有市场蛋糕上新增的“奶油层”，但从晶圆厂投片逻辑看，这实则是残酷的减量博弈。

2026年2月6日的消息显示，三星平泽P4工厂已将原定扩产DDR5的产线全部转为HBM4专用线。这并非个例，据TrendForce 2026年1月数据，三大存储原厂的HBM总产能已突破每月35.5万片晶圆，占全球DRAM总投片量的比例从两年前的8%飙升至23%。

图1：全球主要存储原厂晶圆产能分配趋势(来源:TrendForce/自制)

技术层面的陷阱：HBM4采用16-Hi堆叠与混合键合工艺，目前良率仅约55%（远低于DDR5的90%以上），且生产同等容量的HBM4，消耗的晶圆面积是DDR5的2.5至3倍[见参考文献8]。

“HBM不再是内存市场的甜点，而是黑洞，正从物理层面吞噬DDR5的生存空间。”

——Dylan Patel，SemiAnalysis首席分析师

供给侧逻辑：寡头的“默契”与战略放弃

过去十年的存储周期从未如此割裂。对存储三巨头而言，这或许是2017年以来的最好时期，但也暴露了逐利的“吃相”。HBM4的毛利率稳定在65%-70%的高位，而通用DDR5即便涨价，毛利也仅30%左右[见参考文献9]。

在资本支出有限的情况下，企业逐利本能决定了产能分配优先级。Gartner数据显示，AI服务器对DRAM位元需求的年复合增长率（CAGR）高达70%左右，而PC和智能手机仅为3%-5%。

图2：2024-2026各应用领域DRAM位元需求年复合增长率(来源:Gartner/自制)

这是危险信号：原厂正战略性放弃中低端市场。这种行为在经济学上接近“默契合谋”——通过制造通用产品的稀缺性，维持价格高位。

需求侧的困境：低毛利终端的生存危机

上游的狂欢传导至下游，便是惨烈的冲击。需修正认知：最恐怖的涨幅并非来自先进的DDR5，而是被原厂抛弃的DDR4，呈现典型的“尾部暴力拉升”。

图3：DDR5 vs DDR4价格走势对比(2025-2026)(来源:DRAMeXchange/自制)

关键洞察：数据不会说谎。DDR5绝对价格更高，但DDR4的同比涨幅达1800%，远超DDR5的500%。这意味着，原厂为HBM进行的“物理产能抽血”，对成熟制程的冲击大于先进制程。

这对大量出货DDR4的中低端PC、工业控制及物联网设备厂商是毁灭性的。DDR5“价高但可购”，而DDR4面临“断供式涨价”。TechInsights在《2026消费电子展望》中警告：2026年将是消费电子产业链重组大年。当上游涨价无法向下游传导时，中间的组装厂和二线品牌陷入“提价找死、不提价等死”的困境。

产业格局变迁：国产替代的机会与冷静思考

在行业困境中，中国半导体产业迎来“结构性机会”。存储三巨头全力冲刺HBM高地时，在中低端市场留下了战略真空。

长鑫存储正处于这一缺口。本土整机厂商不仅需将长鑫作为备选供应商，部分因买不到国外存储颗粒的厂商，更要将其作为首选。

综合分析：虽长鑫2025年底全球市场份额预计仅8%-10%（Counterpoint数据），但因产能集中于成熟制程，在原厂撤出的细分市场，其有效供给能力被放大。数据显示，长鑫在国内通用DRAM市场占比已达40%左右，在原厂撤出的中低端消费电子市场，国产颗粒渗透率实现突破。

但需清醒：这仍是“承接剩余需求”的逻辑。在HBM、GDDR等高附加值领域，国产厂商仍缺乏核心话语权，国产替代的繁荣本质是承接巨头溢出的低端需求。

总结：繁荣下的利润清洗

HBM4掩盖了产业话语权失衡的现实。存储巨头利用“产能结构性置换”，将AI带来的高昂资本开支转嫁给议价能力弱的通用市场。2026年消费电子供应链面临的不是简单周期性涨价，而是底层产能抽离导致的“利润清洗”——这才是本轮行情的残酷真相。

周边观察：需关注的其他领域

• 据Design And Reuse 2026年初报道，台积电2nm（N2）存储产品良率超预期突破90%，逻辑芯片良率达80%以上，苹果A20芯片已锁定首批产能

  
  

  
  

点评：这宣告GAAFET时代的代工格局已定。三星晶圆代工试图弯道超车的愿景基本破灭，先进制程的“马太效应”将比FinFET时代更显著。

• Wolfspeed 8英寸SiC晶圆价格腰斩。据TrendForce及市场数据，8英寸SiC衬底价格已跌至1000美元区间，与6英寸成本接近持平。

  
  

  
  

点评：这是碳化硅产业的“奇点”。一旦8英寸成本持平，电动车主驱逆变器将彻底抛弃硅基IGBT。对国内大举扩产6英寸SiC的厂商而言，这是产能过剩的预警。

• CoWoS-L产能预警，或成HBM4交付新瓶颈。供应链消息称，2026年三季度前的CoWoS-L产能已被英伟达和AMD瓜分殆尽。

  
  

  
  

点评：HBM4能生产不代表能封装。先进封装已成为与光刻机同等重要的战略瓶颈。

引用来源与参考链接

1. Samsung,SK Hynix Project'Dual 100 Trillion Won'Profit Amid AI Boom(Chosun Ilbo,Jan 29,2026)https://www.chosun.com/english/industry-en/2026/01/29/SGKV7NTNTVDN5AEQOREZPPZCQQ/

   
   

   
   

2. DRAMeXchange Daily Spot Price(Feb 7,2026)https://www.dramexchange.com/

   
   

   
   

3. Dylan Patel Quote Source:SemiAnalysis-The AI Capacity Crunchhttps://semianalysis.com/

   
   

   
   

4. TechInsights Warning:Consumer Electronics Outlook Report 2026https://www.techinsights.com/outlook-summit-series-2026/consumer-electronics-market

   
   

   
   

5. TrendForce:HBM4 Mass Production Delayed to End of 1Q26(Jan 8,2026)https://www.trendforce.com/presscenter/news/20260108-12869.html

   
   

   
   

6. TSMC Achieves 90%Yield in 2nm Memory Chip Production(Design And Reuse)https://www.design-reuse.com/news/202528834-tsmc-achieves-90-yield-in-2nm-memory-chip-production/

   
   

   
   

7. Oversupply of SiC Substrate Leading to Price Decline(TrendForce)https://www.trendforce.com/news/2024/10/23/news-oversupply-of-6-inch-sic-substrate-leading-to-price-decline/

   
   

   
   

8. HBM4 Wafer Consumption Ratio(3.5x):TrendForce/SemiAnalysis Estimateshttps://www.trendforce.com/insights/memory-wall(General HBM3e/4 vs DDR5 capacity analysis)

   
   

   
   

9. HBM4 Gross Margin(65-70%)Estimates:Morgan Stanley/Goldman Sachs/TrendForce Reportshttps://investors.micron.com(Reference to high-margin HBM guidance in earnings calls)

   
   

   
   

10. Counterpoint:2025 DRAM Market Share Report(Jan 2026)https://counterpoint.com/report/2025-dram-market-share/