存储芯片：步入“黄金时代”

存储芯片竞赛热度再度攀升。日前，摩根士丹利研报显示，在AI驱动下，存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”。到2027年，全球存储市场规模有望迈向3000亿美元，存储芯片行业或许正站在新一轮产业周期的起点。

存储芯片开启超级周期

存储芯片的周期性比其他半导体细分领域更为显著，近13年呈现出3 - 4年一轮的周期规律，当前正处于第四轮周期。

回顾前三轮周期：2012 - 2015年，智能机换机潮推动行业发展，随后因扩产导致供过于求而下行；2016 - 2019年，受益于3D NAND产能转移、DDR4迭代以及手机游戏需求，DRAM等产品价格涨幅超100%，后续受PC / 服务器需求疲软影响进行调整；2020 - 2023年，疫情催生远程办公与数据中心需求，存储市场先涨后因需求疲软、产能过剩下跌超50%。

2024年至今，AI算力基建与HBM技术革命成为新的驱动力，改写了传统周期逻辑。在第四轮周期中，存储需求不再依赖个人消费端，企业级AI资本开支成为重要支撑，推动HBM、DDR4/DDR5及企业级SSD等市场大规模增长。

在此趋势下，三星、SK海力士等行业龙头展开了新一轮争夺，业绩实现了空前增长。10月14日，三星公布的初步财报显示，Q3营业利润为12.1万亿韩元，同比增长31.81%，环比大增158.55%，远超预期。单季营业利润历经5个季度后，再次回升至10万亿韩元以上，创下自2022年第二季度以来的最高纪录。三季度销售额为86万亿韩元，同比增长8.72%，环比增长15.33%，创下历史新高。SK海力士Q3运营利润首次突破10万亿韩元大关，达到11.38万亿韩元，同比激增62%；营收24.45万亿韩元，同比增长39%；净利润12.598万亿韩元，三项核心指标均刷新历史纪录。HBM业务成为驱动业绩增长的核心引擎，财报显示，12层堆叠的HBM3E及服务器DDR5等高端产品贡献了主要收入增量，推动公司毛利率攀升至57%。

据悉，三星与SK海力士近日通知客户，2025年第四季度合同或现货价格将调高约30%，涉及DRAM与NAND Flash产品。随着云服务器、AI模型训练及推理需求的叠加，DRAM与NAND的供需格局正在改变。多家国际电子与服务器厂商近日积极与三星、SK海力士磋商“2 - 3年期”中长期供货协议，以锁定未来资源、避免价格波动风险。DRAM价格攀升的部分原因是产能受到HBM的挤压，据报道，HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上，由于利润丰厚，内存制造商优先生产HBM。

SK海力士连续三季度蝉联DRAM市场榜首

在过去两个季度中，2025年Q1，SK海力士首次打破三星电子自1992年以来的长期垄断，以36.9%的市占率登顶DRAM全球榜首，终结了三星长达33年的霸主地位，标志着DRAM市场格局进入双雄争霸的新阶段。Q1三星市占率降至34.4%，SK海力士凭借2.5个百分点的优势实现超越。Q2竞争差距进一步拉大，SK海力士市占率飙升至39.5%，三星市占率续跌至33.3%，两者差距扩大至6.2个百分点。

随着SK海力士Q3财报的公布，新一季度DRAM王座竞赛有了结果。根据Counterpoint Research的报告，2025年Q3，SK海力士的DRAM营收环比增长11%，同比增长54%，以35%的营收份额连续第三个季度稳居全球DRAM市场第一，本季度的DRAM营收也创下历史新高。三星电子以34%的市场份额位居第二，营收环比增长29%、同比增长24%，与SK海力士的差距较去年缩小了5个百分点。

虽然本季度SK海力士在整体存储市场上被三星电子反超，但在HBM和通用DRAM强劲需求的支持下，继续领跑DRAM市场。在HBM市场，SK海力士以58%的市场份额占据主导地位，HBM在其第三季度DRAM总销售额中占比高达40%。此外，公司预计将按客户需求推进HBM4产品的交付。在通用DRAM领域，需求回升与价格上涨也为业绩提供了支撑。Counterpoint Research分析师Jeongku Choi表示，随着AI存储需求保持高位，SK海力士有望在Q4延续强劲表现，公司在HBM4研发中积极响应客户需求，良率表现处于行业领先水平。

SK海力士已与核心客户完成HBM4的供应谈判，计划于第四季度启动量产出货。三星计划在10月27日至31日的“Samsung Tech Fair 2025”技术展览会上展示其第六代12层HBM4产品，并计划今年晚些时候进入量产阶段。分析师预计12层HBM4产品的售价为每片500美元，较目前约300美元的12层HBM3e价格高出60%以上。SK海力士财报指出，已完成与主要客户关于2026年HBM供应的全部谈判，并计划在2025年四季度开始出货次世代HBM4产品，2026年全面销售。更为关键的是，SK海力士已锁定2026年所有DRAM和NAND产能的客户需求，预计2026年DRAM出货量将同比增长超20%，并预测HBM供应紧张将持续至2027年。但竞争态势正在变化，美光已向英伟达供应部分HBM产品，三星电子上月通过了英伟达针对先进HBM产品的资格测试，Counterpoint Research研究总监MS Hwang警告，SK海力士要持续盈利，保持和增强竞争优势至关重要。

存储龙头引入High NA EUV

High NA EUV是一项关键技术，开启了半导体产业的新篇章。High NA EUV光刻机是下一代芯片制造的关键，与传统EUV相比，能提供1.7倍更精细的电路图案和2.9倍更高的晶体管密度，光学精度提升了40%，对于生产密度更高、更节能、性能更强大的2nm代工芯片以及先进存储产品至关重要。

本月市场消息称，三星电子加速押注DRAM领域，从ASML购入5台全新High - NA EUV光刻机，其中2台将部署在三星半导体代工事业部，其余设备专供存储事业部。此前，三星曾引进过一台用于研发的High - NA EUV设备，此次引进的机器用于“产品量产”尚属首次。上个月，SK海力士宣布已将业界首款量产型High NA EUV引进韩国利川M16工厂。不过当前引进的High NA EUV多用于研发、试生产，并非当前一代产品就会使用其生产。

要探究两大存储龙头何时用上High NA EUV，需从当前市场的竞逐热点1c DRAM说起。2024年8月，SK海力士宣布成功开发全球首款第六代10nm等级1c制程DDR5 DRAM，生产效率更高，运行速度和性能显著改进，旗下LPDDR6、GDDR7等也将采用此制程。10nm级的DRAM已引入EUV光刻技术，但关键层数应用较少，绝大部分仍采用DUV光刻。今年8月，SK海力士将其1c制程DRAM制造首次升级到6层EUV光刻，有助于提升产品性能和良率，可推出存储位元更密集、读写速度更快、功耗更低的DDR5内存以及更高容量的HBM堆栈。市场消息称，SK海力士的1c DRAM良率已达80% - 90%，预计将在1d和0a DRAM等下一代产品上更多使用EUV光刻，为使用更先进的High NA EUV奠定基础。三星电子在第六代10nm1cDRAM制程开发上遇到挑战，预计完成时间推迟，下一代1c DRAM在HBM4上的良率约为50%，三星在哪一代产品中使用EUV光刻机尚不明确。美光尚未使用High NA EUV，2025年推出采用全新1γ制造工艺的16Gb DDR5设备，采用EUV与多重图案化DUV技术结合的方式，仅对关键金属层使用EUV光刻，其余层采用DUV多重曝光技术。

随着与三星电子和SK海力士的竞争加剧，美光科技加速推进其10纳米以下DRAM工艺路线图。据悉，美光正在评估两条潜在路线图，一条从目前的第七代(1d) 10nm工艺发展到大约10.1nm的第八代(1e)，另一条跳过1e步骤，直接过渡到9nm DRAM工艺。一位业内人士指出，关键在于美光公司能将其1d节点缩小多少，如果1d线宽保持在10.9纳米左右，可能需先引入10.1纳米的1e工艺，若1d达到约10.2纳米，就有可能跳过1e工艺，直接进入9纳米级别，这将是一次重大技术飞跃。据报道，三星计划直接从其1d节点转向9nm（0a）DRAM工艺，SK海力士预计采取类似的快速发展战略，美光公司正在调整路线图以保持竞争力。

存储两龙头牵手OpenAI

日前，三星电子和SK海力士分别与OpenAI签署协议，作为核心合作伙伴参与全球人工智能基础设施项目Stargate。Stargate是OpenAI价值5000亿美元的数据中心基础设施项目，计划为OpenAI的ChatGPT建设20个专注于AI的数据中心，目标是在2029年前投入运营，OpenAI正与软银和甲骨文在该项目上合作。此外，OpenAI还与三星和SK海力士合作在韩国建设两个数据中心，初始容量为20兆瓦。

未来一段时间，三星和SK海力士将扩大内存芯片产量，目标是每月90万片DRAM晶圆。OpenAI未说明是标准DRAM还是专用HBM，KED Global媒体称是用于HBM的。因为OpenAI的 “Stargate” 计划要承载下一代千亿参数大模型，每秒需处理数千万次数据交互，传统DDR5内存数百GB/s的带宽无法满足需求，而三星与SK海力士主打的HBM（高带宽内存）能补上短板，HBM3E的带宽可达3.35TB/s，能让GPU集群效率提升30%，延迟降低20%。据了解，Stargate订单可能还包括服务器DRAM、图形DRAM，甚至SSD。KED Global表示，每月90万片晶圆是当前全球产能的两倍，SK海力士目前每月运营16万片DRAM和HBM晶圆，这意味着三星和SK海力士都必须建设新的HBM工厂，可能会减少DRAM生产，因为DRAM不如HBM盈利。

本文来自微信公众号 “半导体产业纵横”（ID：ICViews），作者：丰宁，36氪经授权发布。

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