CBA技术助力，铠侠第9、10代BiCS FLASH存储器新突破

08-02 06:24

电子发烧友网综合报道，铠侠宣布，采用第九代BiCS FLASH 3D闪存技术的512Gb TLC存储器已开始送样。该产品计划于2025年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供性能与能效兼具的解决方案。此外，它还将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，尤其适用于需要提升AI系统GPU性能的应用。

为满足尖端应用市场的多样需求，同时提供有投资效益和竞争力的产品，铠侠推行“双轨并行”策略。其中，第九代BiCS FLASH产品采用CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术，将现有的存储单元技术与最新的CMOS技术相结合，既能降低生产成本，又能实现卓越性能。它基于112层堆叠的第五代BiCS FLASH技术和218层堆叠的第八代BiCS FLASH技术，新的第九代BiCS FLASH产品会根据型号分别整合这两种技术之一。

第十代BiCS FLASH产品通过增加存储单元的堆叠层数，满足未来市场对大容量、高性能解决方案的需求。

全新的第九代BiCS FLASH 512Gb TLC基于第五代BiCS FLASH技术的120层堆叠工艺与先进的CMOS技术开发。与铠侠现有的相同容量（512Gb）的BiCS FLASH产品（第六代BiCS FLASH）相比，性能显著提升。写入性能提升61%，读取性能提升12%；能效方面，写入操作能效提升36%，读取操作能效提升27%。数据传输速度支持Toggle DDR6.0接口，可实现高达3.6Gb/s的NAND接口传输速率。此外，通过先进的横向缩放技术提升8%位密度。在演示条件下，该512Gb TLC的NAND接口速度可达4.8Gb/s，其产品线将根据市场需求确定。

过去，架构从CNA (CMOS Next to Array)发展到CUA (CMOS Under Array)，减少了CMOS的面积开销，但仍需路由开销将CMOS连接到存储单元。在BiCSFLASH的第8代中引入的CBA技术，通过分别制造CMOS和单元阵列并将它们粘合在一起，进一步减少了这种开销。而且，由于CBA技术允许CMOS芯片和存储单元芯片在最佳热条件下单独处理，两者都能达到最高性能水平。

BiCS FLASH技术战略沿着两个轴推进开发：一个轴是增加传统方式下的层数，提供大容量和高性能的产品线；另一个轴是通过将现有单元技术与最新的CMOS技术相结合，充分利用CBA技术，实现高性能并降低投资成本，这就是双轴战略。

对于大容量、高性能的产品线，铠侠将结合进一步的堆叠与横向收缩，开发具有高位密度和大容量的产品，如BiCSFLASH第10代及更高版本，以满足企业和数据中心SSD市场的需求。对于以性能为核心的产品线，将开发BiCSFLASH第九代，利用CBA技术，将现有的一代存储单元与高速CMOS技术相结合，满足各种尖端应用的要求。由于利用了现有的内存单元世代，可抑制与堆叠层相关的资本投资，同时满足人工智能驱动的边缘应用的需求。通过这一双轴战略，铠侠的目标是保持最佳的投资效率，同时开发出满足下一代应用先进需求的有竞争力的产品。

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