容量翻倍，耗电量降低40%！2027年，Intel努力打造HBM内存替代方案

快科技 6 月 2 据媒体报道，日消息，Intel 与软银合作，共同开发一种可替代的方式 HBM 存储器的堆叠式 DRAM 解决方案。

双方建立了一个名字“” Saimemory “新公司，将以英特尔技术东京大学等日本学术界的专利为基础，共同打造原型商品。

这种合作的目的是实现 2027 几年前完成了原型设计，并对量产可行性进行了评估，力争 2030 几年前实现商业化。

目前大多数 AI 使用Cpu HBM 芯片，这种芯片特别适合存储和处理大量数据，但由于其复杂的制造工艺、高成本、过热和大功耗，其广泛应用受到限制。

双方计划通过堆叠来实现 DRAM 并且优化芯片连接方式，新方案有望实现至少两倍的存储容量，同时降低用电量。 40%，而且成本大幅下降。

软银将成为新公司的最大股东，出资 30 公司计划初期研发资金约1亿日元。 150 亿日元，如果这项技术成功，软银希望优先获得供应权。

因为 AI 芯片需求旺盛，HBM 供应持续紧张，Saimemory 除此之外，日本还希望通过这种替代产品占据至少日本数据中心的市场份额， 20 多年来第一次尝试回到内存芯片的主要供应国。

本文仅代表作者观点，版权归原创者所有，如需转载请在文中注明来源及作者名字。

免责声明：本文系转载编辑文章，仅作分享之用。如分享内容、图片侵犯到您的版权或非授权发布，请及时与我们联系进行审核处理或删除，您可以发送材料至邮箱：service@tojoy.com