长鑫存储DDR5工艺升级遇阻,大规模量产或延至2025年末

07-25 06:18

长鑫存储(CXMT)专注于DRAM芯片制造,是国内规模最大且唯一能制造DDR4/LPDDR4内存芯片的企业。今年年初,该企业成功切换至DDR5/LPDDR5内存芯片领域,紧跟时代发展潮流。近期,长鑫存储开始削减DDR4的出货量,逐步将业务重心向DDR5转移,计划升级工艺并提高产量。


据Digitimes报道,长鑫存储的计划似乎遭遇了一些阻碍。由于采用相对陈旧的工艺技术生产DDR5,生产出的颗粒质量和良品率都未达到理想状态,可能不得不将大规模生产时间推迟至2025年末。


长鑫存储制造DDR5采用的是其第四代DRAM节点工艺技术,这使得芯片面积比三星同类芯片大40%,与三星2021年初的水平相近,这意味着制造成本更高,难以降低成本并实现大规模生产。此外,成本并非长鑫存储面临的唯一难题。早期测试显示,这些DDR5内存模块在高温或低温环境下存在稳定性问题,这迫使长鑫存储不得不修改DDR5芯片的设计,以提高其可靠性。


此前,业内人士曾预计长鑫存储将在2025年5月或6月开始大规模生产DDR5,但如今已到7月,仍未实现大规模出货。尽管部分技术问题已得到解决,但良品率仍在50%左右徘徊,这对于真正意义上的量产而言是远远不够的。长鑫存储还需要积累更多经验,持续改进生产工艺。


实际上,长鑫存储的DDR5已经达到了同行业南亚科技的水平,正在不断缩小与领先DRAM厂商的差距。预计到2025年末,长鑫存储的DDR5才能进入大规模生产阶段。


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