高边开关，向低内阻迈进

近日，对比半导体宣布推出全新第二代高边开关芯片，电子发烧友网综合报道。 单通道内阻低至HD80012 1.2m Ω。HD80012 内置电池反接保护和输入电源过压保护电路，无需增加外围。 TVS 防反二极管，降低系统电路复杂度，降低成本。

对比半导体表示，自第一代高边开关芯片以来 HD7XXX 系列 2023 自2008年推出以来，该系列产品已在国内外知名。 Tier1 与汽车厂商大量出货，高边开关系列产品累计出货量已超过千万件。为解决国产 1-4m Ω 与半导体和上下游供应链相比，经过两年的处理工艺、设计和包装等关键技术难点，低内阻大电流高边开关芯片空白带来的供应链风险实现了高边开关芯片产业化的新进步。

导通电阻是指高边开关中的功率开关，例如 MOSFET 漏极和源极之间的电阻直接关系到开关的功率损耗和烫伤。高边开关通过调整 MOSFET 栅极电压实现负载与电源连接或断开，部分型号可集成多个型号 MOSFET 并联，减少整体内阻，进而提高电流能力。

在汽车应用中，汽车中常见的阻性载荷，如大灯、感性载荷(如电机)和容性载荷(如电容充电电路)都需要高边开关来提供低损耗的电流路径。低内阻(如10) m Ω）可以显著降低导通压降，保证接近电源电流的负荷供电，同时降低功率损耗（p=I ² R），从而提高额定电压能力。<10 m Ω）可显着减少导通压降，保证负荷获得接近电源电流的供电，同时减少功率损耗（p=I ² R），从而支持更高的额定电压能力。

容性负载(例如 LED 大灯)启动时会产生较大的浪涌电流。低内阻设计可以降低开关管的暂态功耗，避免保护机制因过热或过流而触发，保证可靠的负荷启动。

现代化的汽车电气系统包括 12V/24V/48V 对于各种电压平台，低内阻设计可以适应大电流驱动场景(如电动车窗、雨刮器等)。)，同时支持区域控制器结构中更复杂的负载业务需求。

近几年，国内玩家也开始加速进入高边开关领域。去年的纳芯微 8 本月推出了其首个高边开关产品类型 XXXS/NSE34XXD/Q 和 XXXS/NSE35D，具有行业领先的承载能力，优化可靠的诊断保护功能，提供 1/2/4 通道、适配 PSSO-16/PSSO-14 封装、导通电阻覆盖 8 毫欧至 140 毫欧，适合驾驶车身 BCM 其他系统中各种传统的阻力、感性和卤素灯的负荷，并充分适应区域控制器 ZCU 中一 / 二次配电下常见的大容量负载。

据报道，纳芯微推出的高边开关产品依托全产业化自主可控供应链的设计和制造，在自行车用量最大的汽车模拟芯片品类上完成了“全链国产”。

稳先微去年 7 每月推出四款智能高边开关 WS7010AF、WS7020AF、WSD7020AF、覆盖单双通道的WSD7040AF，10m Ω、20m Ω 和 50m Ω 的规格。与此同时，整个系列选择单芯片设计方案的目标，该方案集成了驱动，MOSFET、电流检测，热保护，电压保护，EMC 与多芯片缝合方案相比，滤波及多种诊断功能在产品稳定性和可靠性指标上更具优势。

总结

在电动汽车中，高边开关不仅是电源分配的“闸阀”，也是提高能效、安全防范和轻量化设计的关键部件。其低内阻直接关系到续航能力，而集成智能诊断功能则保证了整车的可靠性。随着国内厂商在低内阻高边开关领域的突破，电动汽车的国产替代进程进一步加快。

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