SK 海力士宣布大规模生产 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存

IT 世家 11 月 21 日消息，SK 海力士刚刚宣布开始量产世界上最高的产品。 321 层 1Tb(太比特，和 TB 不同的太字节)TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。

据介绍，此 321 与上一代相比，层次产品的数据传输速度和读取性能各自提高 12% 和 13%的数据读取能效也得到提高。 10% 以上。

SK “公司从海力士说：” 2023 年 6 目前月量产最高的上一代。 238 层 NAND 闪存商品，并在市场上供应，这次又率先推出超越市场的商品。 300 层 NAND 闪存，突破技术界限。计划从明年上半年开始向客户提供 321 层层商品，从而满足市场需求。”

据介绍，SK 在这个产品开发过程中，海力士使用了高效率的“ 3-Plug "生产过程，解决了堆叠限制。

IT 家庭查询了解到，该技术分三次进行埋孔工艺流程，然后经过改进后的后续工艺将 3 一个埋孔用于电气连接。在此过程中开发了低变形材料，引入了通孔之间的自动排列。（Alignment）矫正技术。

此外，SK 上一代海力士R&D团队也将 238 层 NAND 闪存研发平台应用于研发平台 321 层次，从而最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率得到了提高。 59%。

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